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IRF730A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF730AL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：散裝

IRF730ALPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：散裝

IRF730APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF730AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF730ASPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 3.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF7309TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
DTS24F17-26JA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 26POS JAM NUT W/SKT
E32-T12B 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPTIC THROUGH BEAM
IRDC3629A
評(píng)估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS International Rectifier BOARD EVAL SYNC BUCK CONTROLLER
IRFR024TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IPDH4N03LAG
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
DTS26F17-35SB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 55POS STRGHT W/SKT
IMC1812RQ820J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 82UH 5% 1812
E32-T12B 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPTIC THROUGH BEAM
IRDC3842W
評(píng)估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS International Rectifier BOARD EVAL FOR IR3842W 4A CONV
IPF04N03LA
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IRFR024TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IMC1812RQ82NM
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 82NH 20% 1812
DTS26F17-6AN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS PIN
DTS24F17-26SD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 26POS JAM NUT W/SKT

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