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IRF7241詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 6.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3220pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7241PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 6.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3220pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7241TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 6.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3220pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7241TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 6.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3220pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7241TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 6.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3220pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7241TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 6.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3220pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

KPT06E14-19SX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS CABLE SKT
IRF7220GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
KMQ450VS391M30X50T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 390UF 450V 20% SNAP
LM4050CEM3-2.1+T
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Maxim Integrated TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.048V SOT23
IRF7821GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
K470K10C0GH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 100V 10% RADIAL
KPSE02E12-10SWA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS BOX MNT SKT
KPT06E14-19SX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 19POS CABLE SKT
IVS8H-5P0-5P0-03-B
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMR211NG LFS
觸摸 C&K Components 徑向，Can - 卡入式 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 32V
IRF7834
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
K470K15C0GF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
KPSE02E12-10SY
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS BOX MNT W/SKTS
KPT06E14-5PA71
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 5POS W/PIN CABLE
LM4050CIM3-2.5
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3

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