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IRF6655TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6655TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6655TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6655TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6655TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.8V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：Digi-Reel®

IMC1210BN680J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 68UH 5% 1210
IVS3-3Q2-2E-2L-2L-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF6648TR1
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
KMPC850DEVR80BU
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 256-BGA IC MPU PWRQUICC 80MHZ 256-PBGA
KPSE01F20-39S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 39POS CBL MNT SKT
IRF7503TR
FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
KPT06E10-6P23
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/PIN CABLE
K393K15X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
IMC1210BN6R8J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 6.8UH 5% 1210
IVS3-3Q2-3Q2-3Q2-00-B
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPSE01F20-41PX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS CBL MNT PIN
IRF7503TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8
KPT06E10-6SDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/SKT CABLE
K393K15X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
IMC1210BN820J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 82UH 5% 1210

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