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IRF1503LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 140A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5730pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類(lèi)型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1503PBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 140A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5730pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類(lèi)型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1503SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 140A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5730pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1503STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 140A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5730pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1503STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 140A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5730pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

K561M15X7RH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 100V X7R RADIAL
LP3981IMM-3.03/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG LDO 3.03V .3A 8-MSOP
LCBG-2T-01
配件 Richco Plastic Co 6-SMD（0.300"，7.62mm） CIRCUIT BRD TAB LOCK 1.325"L
IRF1405ZTRR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
ECW-U2222V16
薄膜 Panasonic Electronic Components 1913（4833 公制） CAP FILM 2200PF 250VDC 1913
JR13WCC-10(72)
安全 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 CONN CABLE CLAMP 10MM
ECW-H16122JV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1200PF 1.6KVDC RADIAL
LD02ZC103KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 10V 10% X7R 0402
LP3981IMMX-3.0
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG LDO 3V .3A 8-MSOP
ECW-U2223V16
薄膜 Panasonic Electronic Components 1913（4833 公制） CAP FILM 0.022UF 250VDC 1913
JR13WCC-4(71)
安全 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 CONN CABLE CLAMP 4MM
K561M15X7RK5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 200V X7R RADIAL
LD02ZC121JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 120PF 10V 5% X7R 0402
ECW-H16122RJV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1200PF 1.6KVDC RADIAL
LCBG-3-01
配件 Richco Plastic Co CIRCUIT BRD GUIDE LOCK 1.825"L

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