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DTC113ZUAT106詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-323; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTC113ZUAT106詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-323; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC113ZUAT106詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT-323; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC113ZUA-TP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323; 系列：-; 制造商：Micro Commercial Co; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：-; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：Digi-Reel®

DTC113ZUA-TP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323; 系列：-; 制造商：Micro Commercial Co; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：-; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DTC113ZUA-TP詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS DGTL NPN 200MW SOT-323; 系列：-; 制造商：Micro Commercial Co; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：-; 電阻器_基極333R1444（歐）：1k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：33 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DTB523YETL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRAN DIGITAL PNP 12V 500MA EMT3
CP1W-8ED
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8 PT IN CP1 EXPANSION
DTB743EETL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS DGTL PNP EMT3 SC-75A
CP1W-8ED
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8 PT IN CP1 EXPANSION
DTB743EMT2L
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SOT-723 TRAN DIGITAL PNP 30V 200MA VMT3
CP1W-8ER
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CONTRLR DIGTAL RELAY 8OUT
DTB743ZETL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRAN DIGITAL PNP 30V 200MA EMT3
CP1W-8ER
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CONTRLR DIGTAL RELAY 8OUT
DTC113ZUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS NPN 50V 100MA SOT-323
CP1W-8ET1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8 PT PNP CP1 EXPANSION
DTC114EEBTL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRAN DIGITAL NPN 50V 100MA EMT3
CP1W-8ET1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8 PT PNP CP1 EXPANSION
DTC114EETL
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-75，SOT-416 TRANS NPN 50V 50MA SOT-416
CP1W-8ET1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8 PT PNP CP1 EXPANSION
DTC114EUAT106
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-70，SOT-323 TRAN DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323

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