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BSP296 E6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP296 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP296 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP296 L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP296 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP296 L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.8V @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：364pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

CMF55357R00DHRE
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 357 OHM 1/2W .5% AXIAL
CMF553K4800FKRE
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 3.48K OHM 1/2W 1% AXIAL
BSP295E6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
D38999/20WD97PN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 12POS FLANGE W/PINS
DP-241-8-120
功率 Signal Transformer 模塊 XFRMR PWR 115/230V 120VCT 100VA
EBM12DTBD-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
D38999/20JE6SA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 6POS FLANGE W/SKT
CMF55357R00FHEB
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 357 OHM 1/2W 1% AXIAL
D38999/20WB5PD
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS
D38999/20WD97PN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 12POS PIN
EBM12DTBH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
DP241-8-16A53
功率 Pulse Electronics Corporation 模塊 TRANSFORMER 115/230V 16V 6.25A
D38999/20JE6SB
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT
CMF5535K200BEEA70
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 35.2K OHM 1/2W .1% AXIAL
D38999/20WB5PE
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS

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