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SI4670DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4670DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4670DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4670DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4670DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4670DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 13V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

RUE185
PTC 可復(fù)位保險(xiǎn)絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH RUE SERIES 1.85A
SI4401DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
SI4670DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC
MNR14E0APJ302
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 3K OHM 4 RES 1206
SM6T18CA-E3/52
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS BIDIR 600W 18V 5% SMB
SR215A392FAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 50V 1% RADIAL
RT200000
配件 Red Lion Controls 8-TSST RETRO-REFLECTIVE TARGET 3"
SST-6-07/FR/97
熱縮管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
RUE300
PTC 可復(fù)位保險(xiǎn)絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH RUE SERIES 3.00A
MNR14E0APJ331
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 330 OHM 4 RES 1206
SM6T18CAHE3/5B
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS BIDIR 600W 18V 5% SMB
SR215A472GARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 4700PF 50V 2% RADIAL
RT214110
功率，高于 2 安 TE Connectivity 2010（5025 公制） RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 110V
SST89E516RD2-40-I-TQJE
嵌入式 - 微控制器， Microchip Technology 44-TQFP IC MCU 8BIT 72KB FLASH 44TQFP
SI4409DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH D-S 150V 8-SOIC

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